半导体制造技术导论

第15章 半导体工艺发展趋势和总结

14.9 习题

14.8 参考文献

14.7 小结

14.6 内存芯片制造工艺

14.5 20世纪10年代CMOS工艺流程

14.4 2000～2010年CMOS工艺流程

14.3 20世纪90年代CMOS工艺流程

14.2 20世纪80年代CMOS工艺流程

14.1 简介

第14章 IC工艺技术

13.11 习题

13.10 参考文献

13.9 小结

13.8 钝化

13.7 互连技术

13.6 金属高k栅MOS

13.5 晶体管制造

13.4 阱区形成

13.3 隔离技术

13.2 晶圆准备

13.1 简介

第13章 半导体工艺整合

12.9 习题

12.8 参考文献

12.7 小结

12.6 CMP工艺发展趋势

12.5 CMP工艺过程

12.4 CMP基本理论

12.3 CMP研磨浆

12.2 CMP硬件设备

12.1 简介

第12章 化学机械研磨工艺

11.10 习题

11.9 参考文献

11.8 小结

11.7 安全性

11.6 铜金属化工艺

11.5 物理气相沉积

11.4 金属化学气相沉积

11.3 金属薄膜特性

11.2 导电薄膜

11.1 简介

第11章 金属化工艺

10.13 习题

10.12 参考文献

10.11 小结

10.10 化学气相沉积工艺发展趋势

10.9 工艺发展趋势与故障排除

10.8 电介质CVD反应室清洁

10.7 高密度等离子体CVD（HDP-CVD）

10.6 旋涂硅玻璃

10.5 电介质CVD工艺

10.4 电介质薄膜特性

10.3 电介质薄膜的应用

10.2 化学气相沉积

10.1 简介

第10章 化学气相沉积与电介质薄膜

9.10 习题

9.9 参考文献

9.8 小结

9.7 刻蚀工艺未来发展趋势

9.6 刻蚀工艺发展趋势

9.5 等离子体刻蚀工艺

9.4 等离子体（干法）刻蚀工艺

9.3 湿法刻蚀工艺

9.2 刻蚀工艺基础

9.1 刻蚀工艺简介

第9章 刻蚀工艺

8.9 习题

8.8 参考文献

8.7 小结

8.6 离子注入技术发展趋势

8.5 安全性

8.4 离子注入工艺过程

8.3 离子注入技术硬件设备

8.2 离子注入技术简介

8.1 简介

第8章 离子注入工艺

7.13 习题

7.12 参考文献

7.11 小结

7.10 高密度等离子体工艺

7.9 遥控等离子体工艺

7.8 等离子体增强化学气相沉积及等离子体刻蚀反应器

7.7 等离子体工艺优点

7.6 直流偏压

7.5 离子轰击

7.4 等离子体参数

7.3 等离子体中的碰撞

7.2 等离子体基本概念

7.1 简介

第7章 等离子体工艺

6.8 习题

6.7 参考文献

6.6 小结

6.5 安全性

6.4 光刻技术的发展趋势

6.3 光刻工艺

6.2 光刻胶

6.1 简介

第6章 光刻工艺

5.11 习题

5.10 参考文献

5.9 小结

5.8 加热工艺发展趋势

5.7 快速加热工艺（RTP）系统

5.6 高温化学气相沉积

5.5 退火过程

5.4 扩散工艺

5.3 氧化工艺

5.2 加热工艺的硬件设备

5.1 简介

第5章 加热工艺

4.9 习题

4.8 参考文献

4.7 小结

4.6 衬底工程

4.5 外延硅生长技术

4.4 晶圆生产技术

4.3 晶体结构与缺陷

4.2 为什么使用硅材料

4.1 简介

第4章 晶圆制造

3.9 习题

3.8 参考文献

3.7 小结

3.6 2000年后半导体工艺发展趋势

3.5 互补型金属氧化物晶体管

3.4 集成电路基本工艺

3.3 集成电路芯片

3.2 半导体基本元器件

3.1 半导体基本概念

第3章 半导体基础

2.9 习题

2.8 参考文献

2.7 小结

2.6 集成电路未来发展趋势

2.5 集成电路测试与封装

2.4 集成电路工艺间基本结构

2.3 无尘室技术

2.2 集成电路的成品率

2.1 集成电路工艺简介

第2章 集成电路工艺介绍

1.5 习题

1.4 参考文献

1.3 小结

1.2 集成电路发展回顾

1.1 集成电路发展历史

第1章 导论

前言

译者简介

译者序

此书献给

版权信息

封面

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前言

第1章 导论

1.1 集成电路发展历史

1.2 集成电路发展回顾

1.3 小结

1.4 参考文献

1.5 习题

第2章 集成电路工艺介绍

2.1 集成电路工艺简介

2.2 集成电路的成品率

2.3 无尘室技术

2.4 集成电路工艺间基本结构

2.5 集成电路测试与封装

2.6 集成电路未来发展趋势

2.7 小结

2.8 参考文献

2.9 习题

第3章 半导体基础

3.1 半导体基本概念

3.2 半导体基本元器件

3.3 集成电路芯片

3.4 集成电路基本工艺

3.5 互补型金属氧化物晶体管

3.6 2000年后半导体工艺发展趋势

3.7 小结

3.8 参考文献

3.9 习题

第4章 晶圆制造

4.1 简介

4.2 为什么使用硅材料

4.3 晶体结构与缺陷

4.4 晶圆生产技术

4.5 外延硅生长技术

4.6 衬底工程

4.7 小结

4.8 参考文献

4.9 习题

第5章 加热工艺

5.1 简介

5.2 加热工艺的硬件设备

5.3 氧化工艺

5.4 扩散工艺

5.5 退火过程

5.6 高温化学气相沉积

5.7 快速加热工艺（RTP）系统

5.8 加热工艺发展趋势

5.9 小结

5.10 参考文献

5.11 习题

第6章 光刻工艺

6.1 简介

6.2 光刻胶

6.3 光刻工艺

6.4 光刻技术的发展趋势

6.5 安全性

6.6 小结

6.7 参考文献

6.8 习题

第7章 等离子体工艺

7.1 简介

7.2 等离子体基本概念

7.3 等离子体中的碰撞

7.4 等离子体参数

7.5 离子轰击

7.6 直流偏压

7.7 等离子体工艺优点

7.8 等离子体增强化学气相沉积及等离子体刻蚀反应器

7.9 遥控等离子体工艺

7.10 高密度等离子体工艺

7.11 小结

7.12 参考文献

7.13 习题

第8章 离子注入工艺

8.1 简介

8.2 离子注入技术简介

8.3 离子注入技术硬件设备

8.4 离子注入工艺过程

8.5 安全性

8.6 离子注入技术发展趋势

8.7 小结

8.8 参考文献

8.9 习题

第9章 刻蚀工艺

9.1 刻蚀工艺简介

9.2 刻蚀工艺基础

9.3 湿法刻蚀工艺

9.4 等离子体（干法）刻蚀工艺

9.5 等离子体刻蚀工艺

9.6 刻蚀工艺发展趋势

9.7 刻蚀工艺未来发展趋势

9.8 小结

9.9 参考文献

9.10 习题

第10章 化学气相沉积与电介质薄膜

10.1 简介

10.2 化学气相沉积

10.3 电介质薄膜的应用

10.4 电介质薄膜特性

10.5 电介质CVD工艺

10.6 旋涂硅玻璃

10.7 高密度等离子体CVD（HDP-CVD）

10.8 电介质CVD反应室清洁

10.9 工艺发展趋势与故障排除

10.10 化学气相沉积工艺发展趋势

10.11 小结

10.12 参考文献

10.13 习题

第11章 金属化工艺

11.1 简介

11.2 导电薄膜

11.3 金属薄膜特性

11.4 金属化学气相沉积

11.5 物理气相沉积

11.6 铜金属化工艺

11.7 安全性

11.8 小结

11.9 参考文献

11.10 习题

第12章 化学机械研磨工艺

12.1 简介

12.2 CMP硬件设备

12.3 CMP研磨浆

12.4 CMP基本理论

12.5 CMP工艺过程

12.6 CMP工艺发展趋势

12.7 小结

12.8 参考文献

12.9 习题

第13章 半导体工艺整合

13.1 简介

13.2 晶圆准备

13.3 隔离技术

13.4 阱区形成

13.5 晶体管制造

13.6 金属高k栅MOS

13.7 互连技术

13.8 钝化

13.9 小结

13.10 参考文献

13.11 习题

第14章 IC工艺技术

14.1 简介

14.2 20世纪80年代CMOS工艺流程

14.3 20世纪90年代CMOS工艺流程

14.4 2000～2010年CMOS工艺流程

14.5 20世纪10年代CMOS工艺流程

14.6 内存芯片制造工艺

14.7 小结

14.8 参考文献

14.9 习题

第15章 半导体工艺发展趋势和总结